鎧俠與閃迪規劃北上市第三座晶圓廠　投資額逾1兆日元並尋求日本政府補貼

根據日經亞洲與彭博社於2026年8月27日發布的報導，鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）組成的半導體聯盟，計劃在日本巖手縣北上市再興建一座晶圓廠。這座新廠將是北上生產基地的第三座NAND閃存晶片生產設施，項目總投資額預計超過1萬億日元。報導刊出當天，後續進展仍有待官方正式公布。

首相官邸行程與可能的宣布時點

綜合兩家媒體的說法，鎧俠與閃迪的執行長預計於報導當日訪問位於東京千代田區永田町的日本首相官邸，屆時可能正式宣布這項建廠計劃。換言之，截至報導發布時，該項目仍屬「計劃中」性質，具體內容以企業與日本政府的後續正式聲明為準。

日經亞洲與彭博社對此事的報導方向一致，均指向北上基地擴建與巨額投資兩個核心事實。至於投資結構、動工時程與產能規模等細節，目前公開資訊尚未觸及。

以報導刊出時的匯率換算，超過1萬億日元的投資額約合422.88億元人民幣。作為對照，這一數字已接近部分國家級半導體補助計劃的單一項目體量，顯示NAND閃存擴產的資本密集程度。

報導同時指出，鎧俠與閃迪將向日本經濟產業省尋求補貼資助。日本政府近年透過經產省體系支持境內半導體製造投資，此前已有多個邏輯晶片與記憶體項目獲得補助，NAND閃存亦屬其政策覆蓋範圍。此次北上市第三廠若獲補貼，將延續這一政策路徑。

北上市位於巖手縣內陸，是鎧俠旗下主要的NAND閃存生產聚落之一。依據現有資訊，當地目前已有兩座晶圓廠運作，此次規劃中的新設施將成為第三座，使北上基地的生產設施數量進一步增加。

鎧俠與閃迪的合作關係由來已久。雙方長期在NAND閃存領域共享生產設施與研發資源，共同承擔巨額建廠成本。此番第三廠由「鎧俠與閃迪聯盟」名義規劃，延續了這一共同投資模式。

這項建廠計劃並非孤立事件。同一段時期，業界亦傳出三星電子與SK海力士持續投資擴充NAND產能的消息，另有報導稱三星計劃擴大平澤在建晶圓廠項目的規模。研調機構TrendForce先前的預測則指出，2027年記憶體將佔主要雲端服務商超過三分之二的資本支出。

在AI資料中心儲存需求攀升的背景下，NAND閃存與DRAM同樣被視為擴產重心。鎧俠與閃迪選在此時規劃第三座晶圓廠，與三星、SK海力士的擴產動作處於同一時間軸上。各家實際投產時程與產能開出節奏，仍取決於後續的資本支出執行與市場需求變化。

目前可核實的資訊邊界如下：北上市第三晶圓廠的投資額超過1萬億日元，兩家公司執行長計劃拜會首相官邸，並將向經產省申請補貼，訊源為日經亞洲與彭博社。尚未獲得官方證實的部分包括：建廠時程、產能目標、補貼金額、以及兩家公司內部的出資比例安排。

這些細節預料將在企業正式宣布後逐步明朗。本臺將持續追蹤日本經產省的後續公告與鎧俠、閃迪的官方聲明，並在資訊更新時補充報導。